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    HOME - 研究・研究者 - 研究者一覧 - 福谷 圭祐
    研究・研究者

    福谷 圭祐

    ふくたに けいすけ / FUKUTANI , Keisuke

    助教

    TEL: 0564-55-7445
    E-Mail : kfukutani_at_ims.ac.jp（_at_ は@に置き換えて下さい）
    場所：明大寺キャンパス　研究棟206号室

    所属研究室 >

    所属

    光分子科学研究領域　光分子科学第三研究部門

    略歴

    2012年　University of Nebraska-Lincoln Ph.D.
    2013年　東北大学　助教
    2016年　韓国基礎科学研究院　IBS Reseach Fellow
    2020年　韓国基礎科学研究院　Senior Researcher
    2021年　分子科学研究所　助教

    主な研究テーマ

    低次元物質、強相関物質、熱電物質
    キーワード 角度分解光電子分光、電子相関、多体相互作用

    代表的な論文・著書

    1. “Surface termination and Schottky-barrier formation of In4Se3(001)” A. Dhingra, P. V. Galiy, L. Wang, N. S. Vorobeva, A. Lipatov, A. Torres, T. M. Nenchuk, S. J. Gilbert, A. Sinitskii, A. J. Yost, W. M. Mei, K. Fukutani, J. S. Chen and P. A. Dowben, Semicond. Sci. Technol. 35, 065009 (2020). 
    2. “Electrical Tuning of the Excitonic Insulator Ground State of Ta2NiSe5” K. Fukutani, R. Stania, J. Jung, E. F. Schwier, K. Shimada, C. Il Kwon, J. S. Kim, and H. W. Yeom, Phys. Rev. Lett. 123, 206401 (2019). 
    3. "Steep-Slope Threshold Switch Enabled by Pulsed-Laser-Induced Phase Transformation" Y. Park, D. Yoon, K. Fukutani, R. Stania and J. Son, ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 24221 (2019). 
    4. "Tunable two-dimensional electron gas at the surface of thermoelectric material In4Se3" K. Fukutani, T. Sato, P.V. Galiy, K. Sugawara and T. Takahashi, Phys. Rev. B 93, 205156 (2016). 
    5. "High-Resolution Angle-Resolved Photoemission Study of Quasi-One-Dimensional Semiconductor In4Se3”K. Fukutani, Y. Miyata, I. Matsuzaki, P. V. Galiy, P. A. Dowben, T. Sato and T. Takahashi J. Phys. Soc. Jpn., 84, 074710 (2015). 
    受賞一覧 国際連携

    関連リンク

    マテリアル先端リサーチインフラ（ARIM）
    大学連携研究設備ネットワーク
    TILAコンソーシアム